国产高压大电流电子芯片获突破

　　具有自主知识产权的非穿通型高压大电流绝缘栅双极晶体管（NPT IGBT）芯片系列产品和高压大电流外延型超快软恢复二极管（FRED）芯片系列产品项目日前在常州通过专家鉴定。与会专家一致认为，其产品性能已达到国际同类产品的先进水平，其中1200V NPT IGBT产品的主要性能指标超过国际同类产品的先进水平。

　　高压大电流IGBT和FRED芯片系列产品是广泛应用于电力传动和控制系统中的一种新型电力半导体器件。国际上，这种大功率半导体器件的研制和生产已经相对成熟，但在我国长期以来处于空白，市场被国外公司所垄断。近几年，国家各部委给予了高度重视，并在不同的领域立项支持。

　　国产宏微NPT IGBT系列产品采用新型背面结构、高抗闩锁设计和高雪崩耐量的设计，使产品具有正温度系数、低通态损耗、高开关速度的优良特性。

　　宏微FRED产品采用了外延层电荷精确设计、高雪崩耐量设计和基区少子寿命控制等技术，使产品具有超短的反向恢复时间和较低的正向压降，同时具有较软的反向恢复特性和高雪崩耐量。

　　具有国际先进水平和部分领先水平的国产宏微系列高压大电流电力半导体芯片的研制成功， 将我国IGBT和FRED的研发和生产水平提高到了一个新的高度，是我国在IGBT 和FRED芯片产业化方面迈出的重要一步。产品可广泛应用于交通及新能源、智能电网、互联网等领域，大大减少了我国电力电子系统与装置对国外产品的依赖性；减少系统与装置的成本，增加产品在国内外市场的竞争性；有助于电力电子产品这一绿色节能器件在我国不同行业、不同区域的推广应用；有助于推动我国传统产业的更新换代和减少工业污染，提高电能和其它资源的使用效率。