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科技支撑为LED产业发展保驾护航

2012-2-7 08:00| 发布者: ccbuild| 查看: 105| 评论: 0

摘要:   LED是第三代半导体材料制作的光源和显示器件,具有耗电量少、寿命长、无污染、色彩丰富、可控性强等特点,是照明光源及光产业的一次革命。20世纪90年代以来,全球半导体照明产业规模年增长率保持在20%以上,近几 ...
  LED是第三代半导体材料制作的光源和显示器件,具有耗电量少、寿命长、无污染、色彩丰富、可控性强等特点,是照明光源及光产业的一次革命。20世纪90年代以来,全球半导体照明产业规模年增长率保持在20%以上,近几年增速明显加快。
  从科技部了解到, 自2003年科技部牵头启动国家半导体照明工程以来,我国半导体照明产业快速发展,初步形成完整的研发体系和产业链,并在示范应用方面走在世界前列。在此基础上,半导体照明产业作为我国的战略性新兴产业,受到国家层面的高度重视与支持。2009年,为推动我国半导体照明产业健康有序发展,促进节能减排,国家发改委、科技部、工业和信息化部、财政部、住房和城乡建设部、国家质检总局联合印发《半导体照明节能产业发展意见》,从国家层面统筹规划,稳步提升半导体照明产业发展水平。与此同时,科技部启动了“十城万盏”半导体照明应用工程试点工作,分两批批复了37个“十城万盏”试点城市,以应用促发展,极大地推动了技术集成和创新应用,促进了市场机制和商业模式的形成。路灯、隧道灯等功能性照明节能减排效果显着,农业、医疗、通信等“超越照明”取得突破,而半导体照明技术在2008年北京奥运会、2010年上海世博会等重大活动中的典型示范应用,获得了党中央和国务院的高度肯定,在国际上产生了重大影响。
  近年来,在科技部的引导和相关部门的政策支持下,我国半导体照明技术和产业发展步入快行道,已成为全球半导体照明产业发展最快的区域之一。
  目前,我国已初步形成了从上游外延材料与芯片制备、中游器件封装及下游集成应用的比较完整的技术创新链。
  在国家科技计划的持续支持下,LED产业链上下游进行了实质性合作,在部分核心关键技术方面取得突破。2010年,我国产业化大功率LED芯片光效超过100 lm/W,与国际先进水平的差距缩小到2-3年;封装达到国际先进水平(120-130 lm/W);在国际上首次推出具有自主知识产权的Si衬底LED芯片,光效超过90 lm/W,已实现产业化;下一代核心技术方面,我国与国际处在同一起跑线上,如深紫外LED器件的研发处于国际领先水平。
  我国在半导体照明领域申请的专利数量近年来上升很快,与国际基本同步。2010年我国LED相关专利申请共30682项,约占全球LED专利申请数量的27%,2001-2009年平均增长率33%,明显高于全球平均水平,而且下游应用专利申请优势明显,应用方面专利约占总数的76%,其中道路等功能性照明应用领域处于国际领先地位。
  国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)常务副秘书长阮军表示,我国半导体照明产业发展迅速,已初具产业规模并形成完整的产业链。据CSA统计,“十一五”期间,我国半导体照明产业年均增长率接近35%。2010年,我国半导体照明规模以上企业约4000家,产业规模已达1200亿元。其中,上游外延及芯片环节产值50亿元,年增长150%;中游封装环节产值250亿元,年增长23%;下游应用产值接近900亿元,年增长50%。预计“十二五”期间半导体照明产业年均增长率将超过30%,2015年产业总体规模有可能超过5000亿元。

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