日本开发出高导热的氮化铝陶瓷

^^^^日本东芝综合研究所开发出了组装超大规模集成电路所不可缺少的高性能陶瓷片一氮化铝陶瓷基片，其导热性能可提高５０％以上，能高效地逸散大型元件如大规模集成电路的热量。　 　 ^^^^氮化铝原料为粉末状，在陶瓷烧结时很困难，需加１％～７％的氧化钆作助溶剂；烧结后，再在石墨容器中进行处理。因石墨中的碳原子起还原作用，可清除钇一铝氧化物杂质，而形成氮化铝陶瓷。　 　 ^^^^制成氮化铝陶瓷基片后，可用在不需要散热片的特殊结构上，并在电子器件小型化和降低成本方面发挥重要作用。